การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์
การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์
ชื่อเรื่อง :
การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์
ปี :
2553
หมวด :
รายงานการวิจัย
ผู้แต่ง :
อธิพงศ์ งามจารุโรจน์
ผู้แต่งร่วม :
รัตติกร ยิ้มนิรัญ, สุพล อนันตา
รหัสดีโอไอ :

อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ and others. 2553. การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์. เชียงใหม่:คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่; DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CMU.res.2010.7

อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ and others. (2553) การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์. คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่:เชียงใหม่. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CMU.res.2010.7

อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ and others. การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์. เชียงใหม่:คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่, 2553. Print. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CMU.res.2010.7

อธิพงศ์ งามจารุโรจน์ and others. (2553) การปรับปรุงสมบัติทางไฟฟ้าของเซรามิกเฟร์โรอิเล็กทริกที่มีเลดซิงค์ไนโอเบตเป็นองค์ประกอบหลักด้วยการใช้สารตั้งต้นแบบโคลัมไบด์และการเติมสารออกไซด์. คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่:เชียงใหม่. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CMU.res.2010.7

เอกสารดาวน์โหลด
Full-Text :
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 4
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 4
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0