การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
ชื่อเรื่อง :
การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
ปี :
2544
หมวด :
รายงานการวิจัย
ผู้แต่ง :
สมชัย รัตนธรรมพันธ์
ผู้แต่งร่วม :
ชุมพล อันตรเสน

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. 2544. การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล. กรุงเทพฯ:คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย;

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. (2544) การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล. คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ.

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล. กรุงเทพฯ:คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2544. Print.

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. (2544) การปลูกผลึก InP บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล. คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ.

เอกสารดาวน์โหลด
- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0
การศึกษาคุณสมบัติทางแสงและไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ แบบฟิล์มบางที่ปลูกโดยวิธีแลงเมียร์-บลอดเจตต์
ธรณินทร์ บุญบำรุง
ผลของโปรไฟล์อุณหภูมิต่อองค์ประกอบและโครงสร้างผลึกของฟิล์มบาง Cu[ln, Ga]Se2
จามรี อมรโกศลพันธ์
การศึกษาฟิล์มบางทินออกไซด์ก๊าซเซนเซอร์ตรวจจับก๊าซมลพิษ CO โดยใช้เทคนิค SPRAY CVD
รังสรรค์ เมืองเหลือ

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)

National Research Council of Thailand (NRCT)

196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900

196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900

โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712  | dric@nrct.go.th

Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 | dric@nrct.go.th

 

©2013 National Research Council of Thailand
ipv6 ready