ศูนย์ข้อมูลการวิจัย Digital "วช."

การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์

ชื่อเรื่อง :

ปี :

2544

หมวด :

รายงานการวิจัย

ผู้แต่ง :

สมชัย รัตนธรรมพันธ์

ผู้แต่งร่วม :

ชุมพล อันตรเสน

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อัตราเสน. 2544. การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์. [กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย];

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อัตราเสน. (2544) การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์. จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย]:[กรุงเทพฯ.

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อัตราเสน. การวิเคราะห์โครงสร้างควันตัมเวลล์ที่มีความเครียดของ InGaAs-GaAs ที่ปลูกโดยวิธี MBE ด้วยวิธีโฟโตลูมิเนสเซนซ์. [กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย], 2544. Print.

เอกสารดาวน์โหลด

- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -

จำนวนดาวน์โหลด

Abstract :

Full-Text :

Digital File :

จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์

นโยบาย :

วิชาการ :

สังคม/ชุมชน :

พาณิชย์/อุตสาหกรรม :

การพัฒนาตัวตรวจวัดก๊าซแอมโมเนียแบบฟิล์มบางของซิงค์ออกไซด์

สุรเชษฐ์ วัฒนไพโรจน์

การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล

ไมตรี ไพศาลภาณุมาศ

การศึกษารอยต่อพี-เอ็น และทรานซิสเตอร์รอยต่อแบบไบโพล่าร์ โดยการจำลองแบบหนึ่งมิติ

โสภณ พรหมชัย

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)	National Research Council of Thailand (NRCT)
196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900	196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900
โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712 \| dric@nrct.go.th	Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 \| dric@nrct.go.th