An error analysis of maximum-entropy mobility spectrum of electrical carriers in semiconductors
An error analysis of maximum-entropy mobility spectrum of electrical carriers in semiconductors
ชื่อเรื่อง :
An error analysis of maximum-entropy mobility spectrum of electrical carriers in semiconductors
ปี :
2003
หมวด :
วิทยานิพนธ์
ผู้แต่ง :
Jedsada Manyam
ผู้แต่งร่วม :
-

Jedsada Manyam. 2003. An error analysis of maximum-entropy mobility spectrum of electrical carriers in semiconductors. Field of Study Physics, Chulalongkorn University;

Jedsada Manyam. (2003) An error analysis of maximum-entropy mobility spectrum of electrical carriers in semiconductors . Chulalongkorn University/Bangkok.

Jedsada Manyam. An error analysis of maximum-entropy mobility spectrum of electrical carriers in semiconductors. . Bangkok:Chulalongkorn University, 2003.

Jedsada Manyam. (2003) An error analysis of maximum-entropy mobility spectrum of electrical carriers in semiconductors . Chulalongkorn University/Bangkok.

เอกสารดาวน์โหลด
- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0
ออกแบบและสร้างต้นแบบเครื่องศัลยกรรมไฟฟ้าชนิดใช้สารกึ่งตัวนำ เพื่อใช้ในการผ่าตัดทั่วไป
บุญเจริญ วงศ์กิตติศึกษา
Density of states in heavily doped strongly compensated semiconductors with currelated impurity distribution
Uthai Pinmuang
Integration of high-k gate dielectrics in silicon based semiconductor technology
Nipapan Poolamai

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)

National Research Council of Thailand (NRCT)

196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900

196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900

โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712  | dric@nrct.go.th

Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 | dric@nrct.go.th

 

©2013 National Research Council of Thailand
ipv6 ready