การปลูกผลึก InAs บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
การปลูกผลึก InAs บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
ชื่อเรื่อง :
การปลูกผลึก InAs บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
ปี :
2547
หมวด :
รายงานการวิจัย
ผู้แต่ง :
สมชัย รัตนธรรมพันธ์
ผู้แต่งร่วม :
ชุมพล อันตรเสน

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. 2547. การปลูกผลึก InAs บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล. กรุงเทพฯ:คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย;

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. (2547) การปลูกผลึก InAs บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล. คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ.

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. การปลูกผลึก InAs บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล. กรุงเทพฯ:คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2547. Print.

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. (2547) การปลูกผลึก InAs บนแผ่นผลึกฐานเริ่มต้น GaAs ด้วยวิธีการปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล. คณะวิศวกรรมศาสตร์ จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ.

เอกสารดาวน์โหลด
- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0