ศูนย์ข้อมูลการวิจัย Digital "วช."

การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง

ชื่อเรื่อง :

ปี :

2548

หมวด :

รายงานการวิจัย

ผู้แต่ง :

สมชัย รัตนธรรมพันธ์

ผู้แต่งร่วม :

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,สมชัย รัตนธรรมพันธ์..[และคนอื่นๆ]. 2548. การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง. กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย;

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,สมชัย รัตนธรรมพันธ์..[และคนอื่นๆ]. (2548) การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง. จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ.

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,สมชัย รัตนธรรมพันธ์..[และคนอื่นๆ]. การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง. กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2548. Print.

เอกสารดาวน์โหลด

Abstract :

Download (PDF)

จำนวนดาวน์โหลด

Abstract :

Full-Text :

Digital File :

จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์

นโยบาย :

วิชาการ :

สังคม/ชุมชน :

พาณิชย์/อุตสาหกรรม :

การศึกษาเรื่องการแพร่ซึมของบอรอนในซิลิกอน

ไอณา จิระนภากุล

การศึกษาคุณสมบัติลูมิเนสเซนซ์ของชั้นพอรัสซิลิกอน

นรินทร์ อติวงศ์แสงทอง

การศึกษาสภาวะที่เหมาะสมของการเจียระไนลูกรีด เหล็กหล่อผิวแข็งด้วยหินเจียรซิลิคอนคาร์ไบด์

มนตรี นาคอนันตกูล

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)	National Research Council of Thailand (NRCT)
196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900	196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900
โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712 \| dric@nrct.go.th	Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 \| dric@nrct.go.th