การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง
การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง
ชื่อเรื่อง :
การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง
ปี :
2548
หมวด :
รายงานการวิจัย
ผู้แต่ง :
สมชัย รัตนธรรมพันธ์
ผู้แต่งร่วม :
-

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,สมชัย รัตนธรรมพันธ์..[และคนอื่นๆ]. 2548. การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง. กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย;

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,สมชัย รัตนธรรมพันธ์..[และคนอื่นๆ]. (2548) การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง. จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ.

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,สมชัย รัตนธรรมพันธ์..[และคนอื่นๆ]. การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง. กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2548. Print.

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,สมชัย รัตนธรรมพันธ์..[และคนอื่นๆ]. (2548) การปลูกผลึกอินเดียมฟอสไฟด์และการเจือซิลิกอนบนแผ่นผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ ที่มีผิวหน้าในระนาบ (411)A โดยการปลูกผลึกอิพิแทกซีจจากลำโมเลกุลที่ใช้วัตถุในรูปของแข็ง. จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ.