ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล. 2547. ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน. สาขาวิชาวิศวกรรมไฟฟ้า, จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย;

ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล. ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน. . กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2547.

ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล. (2547) ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน . จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย/กรุงเทพฯ.