Modeling of molecular bean epitaxy growth under ehrlich-schwoebel potential barrier effects
Modeling of molecular bean epitaxy growth under ehrlich-schwoebel potential barrier effects
ชื่อเรื่อง :
Modeling of molecular bean epitaxy growth under ehrlich-schwoebel potential barrier effects
ปี :
2004
หมวด :
วิทยานิพนธ์
ผู้แต่ง :
Soontorn Chanyawadee
ผู้แต่งร่วม :
-

Soontorn Chanyawadee. 2004. Modeling of molecular bean epitaxy growth under ehrlich-schwoebel potential barrier effects. Field of Study Physics, Chulalongkorn University;

Soontorn Chanyawadee. (2004) Modeling of molecular bean epitaxy growth under ehrlich-schwoebel potential barrier effects . Chulalongkorn University/Bangkok.

Soontorn Chanyawadee. Modeling of molecular bean epitaxy growth under ehrlich-schwoebel potential barrier effects. . Bangkok:Chulalongkorn University, 2004.

Soontorn Chanyawadee. (2004) Modeling of molecular bean epitaxy growth under ehrlich-schwoebel potential barrier effects . Chulalongkorn University/Bangkok.

เอกสารดาวน์โหลด
- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)

National Research Council of Thailand (NRCT)

196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900

196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900

โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712  | dric@nrct.go.th

Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 | dric@nrct.go.th

 

©2013 National Research Council of Thailand
ipv6 ready