©2013 National Research Council of Thailand
จิรวัฒน์ ปราบเขต. 2550. การศึกษาคุณสมบัติ และกระบวนการสร้างซิลิคอนโฟโตไดโอดชนิด PIN แบบแนวตั้งหลายแถบ. กรุงเทพฯ:สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง;
จิรวัฒน์ ปราบเขต. (2550) การศึกษาคุณสมบัติ และกระบวนการสร้างซิลิคอนโฟโตไดโอดชนิด PIN แบบแนวตั้งหลายแถบ. สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง:กรุงเทพฯ.
จิรวัฒน์ ปราบเขต. การศึกษาคุณสมบัติ และกระบวนการสร้างซิลิคอนโฟโตไดโอดชนิด PIN แบบแนวตั้งหลายแถบ. กรุงเทพฯ:สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง, 2550. Print.
จิรวัฒน์ ปราบเขต. (2550) การศึกษาคุณสมบัติ และกระบวนการสร้างซิลิคอนโฟโตไดโอดชนิด PIN แบบแนวตั้งหลายแถบ. สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง:กรุงเทพฯ.