Implanted and activated carbon distribution profile in silicon : ion beam synthesis of silicon carbide
Implanted and activated carbon distribution profile in silicon : ion beam synthesis of silicon carbide
ชื่อเรื่อง :
Implanted and activated carbon distribution profile in silicon : ion beam synthesis of silicon carbide
ปี :
2007
หมวด :
วิทยานิพนธ์
ผู้แต่ง :
Saweat Intarasiri
ผู้แต่งร่วม :
-

Saweat Intarasiri. 2007. Implanted and activated carbon distribution profile in silicon : ion beam synthesis of silicon carbide. Field of Study Physics, Chiang Mai University;

Saweat Intarasiri. (2007) Implanted and activated carbon distribution profile in silicon : ion beam synthesis of silicon carbide . Chiang Mai University/Chiang Mai.

Saweat Intarasiri. Implanted and activated carbon distribution profile in silicon : ion beam synthesis of silicon carbide. . Chiang Mai:Chiang Mai University, 2007.

Saweat Intarasiri. (2007) Implanted and activated carbon distribution profile in silicon : ion beam synthesis of silicon carbide . Chiang Mai University/Chiang Mai.

เอกสารดาวน์โหลด
- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0
Synthesis of alumatrane complexes directly from Al(OH)3 and TEA
Atitsa Petchsuk
Optical absorption in hydrogenated amorphous silicon
Farida Orapunt
Ion beam bombardment for DNA transfer and cell attachment
Somjai Sangyuenyongpipat

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)

National Research Council of Thailand (NRCT)

196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900

196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900

โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712  | dric@nrct.go.th

Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 | dric@nrct.go.th

 

©2013 National Research Council of Thailand
ipv6 ready