ภัทรจิตร มั่นทรัพย์. 2547. การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาพของซิลิกอนเจอเมเนียม สำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์ สำหรับไดโอดเลเซอร์ โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน. ภาควิชาวัสดุศาสตร์, จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.2004.206
ภัทรจิตร มั่นทรัพย์. (2547) การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาพของซิลิกอนเจอเมเนียม สำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์ สำหรับไดโอดเลเซอร์ โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน . จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย/กรุงเทพฯ. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.2004.206
ภัทรจิตร มั่นทรัพย์. การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาพของซิลิกอนเจอเมเนียม สำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์ สำหรับไดโอดเลเซอร์ โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน. . กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2547. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.2004.206
ภัทรจิตร มั่นทรัพย์. (2547) การตรวจสอบโครงสร้างจุลภาพของซิลิกอนเจอเมเนียม สำหรับทรานซิสเตอร์แบบจุดและแกเลียมไนไตรด์ สำหรับไดโอดเลเซอร์ โดยใช้เทคนิคจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน . จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย/กรุงเทพฯ. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.2004.206