สุขุม อิสเสงี่ยม. 2552. วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. เชียงใหม่:มหาวิทยาลัยเชียงใหม่;
สุขุม อิสเสงี่ยม. (2552) วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. มหาวิทยาลัยเชียงใหม่:เชียงใหม่.
สุขุม อิสเสงี่ยม. วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. เชียงใหม่:มหาวิทยาลัยเชียงใหม่, 2552. Print.
สุขุม อิสเสงี่ยม. (2552) วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. มหาวิทยาลัยเชียงใหม่:เชียงใหม่.