วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก
วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก
ชื่อเรื่อง :
วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก
ปี :
2552
หมวด :
รายงานการวิจัย
ผู้แต่ง :
สุขุม อิสเสงี่ยม
ผู้แต่งร่วม :
กอบวุฒิ รุจิจนากุล, ทวี ตันฆศิริ
Creative Commons : CC

Attribution

Non-Commercial

No Derivative Works
อนุญาตให้เผยแพร่ ไม่อนุญาตให้ใช้เพื่อการค้า ไม่อนุญาตให้เปลี่ยนแปลงเนื้อหา

สุขุม อิสเสงี่ยม. 2552. วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. เชียงใหม่:มหาวิทยาลัยเชียงใหม่;

สุขุม อิสเสงี่ยม. (2552) วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. มหาวิทยาลัยเชียงใหม่:เชียงใหม่.

สุขุม อิสเสงี่ยม. วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. เชียงใหม่:มหาวิทยาลัยเชียงใหม่, 2552. Print.

สุขุม อิสเสงี่ยม. (2552) วัสดุพิโซอิเล็กทริกเพอร์รอฟไกด์เชิงซ้อน ที่มีการแทนที่อะตอมตำแหน่งบีไซด์ ของสารประกอบเลดซิงค์ในโอเบต และสารประกอบแบเรียมไอรอนไนโอเบต เป็นองค์ประกอบหลัก. มหาวิทยาลัยเชียงใหม่:เชียงใหม่.