สมบัติพิโซอิเล็กทริกและสมบัติไดอิเล็กทริกของเซรามิกฐานบิสมัสซิงค์ไททาเนตที่มีอุณหภูมิคูรีสูง สำหรับการประยุกต์ใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
สมบัติพิโซอิเล็กทริกและสมบัติไดอิเล็กทริกของเซรามิกฐานบิสมัสซิงค์ไททาเนตที่มีอุณหภูมิคูรีสูง สำหรับการประยุกต์ใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
ชื่อเรื่อง :
สมบัติพิโซอิเล็กทริกและสมบัติไดอิเล็กทริกของเซรามิกฐานบิสมัสซิงค์ไททาเนตที่มีอุณหภูมิคูรีสูง สำหรับการประยุกต์ใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
ปี :
2555
หมวด :
รายงานการวิจัย
ผู้แต่ง :
สุขุม อิสเสงี่ยม
ผู้แต่งร่วม :
ทวี ตันฆศิริ, กอบวุฒิ รุจิจนากุล
Creative Commons : CC

Attribution

Non-Commercial

No Derivative Works
อนุญาตให้เผยแพร่ ไม่อนุญาตให้ใช้เพื่อการค้า ไม่อนุญาตให้เปลี่ยนแปลงเนื้อหา

สุขุม อิสเสงี่ยม. 2555. สมบัติพิโซอิเล็กทริกและสมบัติไดอิเล็กทริกของเซรามิกฐานบิสมัสซิงค์ไททาเนตที่มีอุณหภูมิคูรีสูง สำหรับการประยุกต์ใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์. เชียงใหม่:มหาวิทยาลัยเชียงใหม่;

สุขุม อิสเสงี่ยม. (2555) สมบัติพิโซอิเล็กทริกและสมบัติไดอิเล็กทริกของเซรามิกฐานบิสมัสซิงค์ไททาเนตที่มีอุณหภูมิคูรีสูง สำหรับการประยุกต์ใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์. มหาวิทยาลัยเชียงใหม่:เชียงใหม่.

สุขุม อิสเสงี่ยม. สมบัติพิโซอิเล็กทริกและสมบัติไดอิเล็กทริกของเซรามิกฐานบิสมัสซิงค์ไททาเนตที่มีอุณหภูมิคูรีสูง สำหรับการประยุกต์ใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์. เชียงใหม่:มหาวิทยาลัยเชียงใหม่, 2555. Print.

สุขุม อิสเสงี่ยม. (2555) สมบัติพิโซอิเล็กทริกและสมบัติไดอิเล็กทริกของเซรามิกฐานบิสมัสซิงค์ไททาเนตที่มีอุณหภูมิคูรีสูง สำหรับการประยุกต์ใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์. มหาวิทยาลัยเชียงใหม่:เชียงใหม่.

เอกสารดาวน์โหลด
Abstract :
Full-Text :
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0