ศูนย์ข้อมูลการวิจัย Digital "วช."

โครงการการจำลองแบบการทำงานของทรานซิสเตอร์แบบ n-channel strained Si MOSFETs on SiGe-on-insulator ด้วยวิธีมอนติคาร์โล

ชื่อเรื่อง :

ปี :

2548

หมวด :

รายงานการวิจัย

ผู้แต่ง :

อนุชา แยงไธสง

ผู้แต่งร่วม :

ธนากร โอสถจันทร์

Creative Commons : CC

Attribution

Non-Commercial

No Derivative Works

อนุญาตให้เผยแพร่ ไม่อนุญาตให้ใช้เพื่อการค้า ไม่อนุญาตให้เปลี่ยนแปลงเนื้อหา

is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 Thailand License.

อนุชา แยงไธสง. 2548. โครงการการจำลองแบบการทำงานของทรานซิสเตอร์แบบ n-channel strained Si MOSFETs on SiGe-on-insulator ด้วยวิธีมอนติคาร์โล. อุบลราชธานี:มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี;

อนุชา แยงไธสง. (2548) โครงการการจำลองแบบการทำงานของทรานซิสเตอร์แบบ n-channel strained Si MOSFETs on SiGe-on-insulator ด้วยวิธีมอนติคาร์โล. มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี:อุบลราชธานี.

อนุชา แยงไธสง. โครงการการจำลองแบบการทำงานของทรานซิสเตอร์แบบ n-channel strained Si MOSFETs on SiGe-on-insulator ด้วยวิธีมอนติคาร์โล. อุบลราชธานี:มหาวิทยาลัยอุบลราชธานี, 2548. Print.

เอกสารดาวน์โหลด

Abstract :

Download (PDF)

Full-Text :

Download (PDF)

จำนวนดาวน์โหลด

Abstract :

Full-Text :

Digital File :

จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์

นโยบาย :

วิชาการ :

สังคม/ชุมชน :

พาณิชย์/อุตสาหกรรม :

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)	National Research Council of Thailand (NRCT)
196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900	196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900
โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712 \| [email protected]	Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 \| [email protected]