ศูนย์ข้อมูลการวิจัย Digital "วช."

MOCVD growth and material quality of indium nitride and gallium nitride films for application in optoelectronic devices and solar cells

ชื่อเรื่อง :

MOCVD growth and material quality of indium nitride and gallium nitride films for application in optoelectronic devices and solar cells

ปี :

2019

หมวด :

รายงานการวิจัย

ผู้แต่ง :

Sakuntam Sanorpim

ผู้แต่งร่วม :

Creative Commons : CC

Attribution

Non-Commercial

No Derivative Works

อนุญาตให้เผยแพร่ ไม่อนุญาตให้ใช้เพื่อการค้า ไม่อนุญาตให้เปลี่ยนแปลงเนื้อหา

is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 Thailand License.

Sakuntam Sanorpim. 2019. MOCVD growth and material quality of indium nitride and gallium nitride films for application in optoelectronic devices and solar cells. Bangkok:Chulalongkorn University;

Sakuntam Sanorpim. (2019) MOCVD growth and material quality of indium nitride and gallium nitride films for application in optoelectronic devices and solar cells (รายงานผลงานวิจัย). Chulalongkorn University:Bangkok.

Sakuntam Sanorpim. MOCVD growth and material quality of indium nitride and gallium nitride films for application in optoelectronic devices and solar cells. Bangkok:Chulalongkorn University, 2019.

เอกสารดาวน์โหลด

Full-Text :

Download (PDF)

จำนวนดาวน์โหลด

Abstract :

Full-Text :

Digital File :

จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์

นโยบาย :

วิชาการ :

สังคม/ชุมชน :

พาณิชย์/อุตสาหกรรม :

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)	National Research Council of Thailand (NRCT)
196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900	196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900
โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712 \| [email protected]	Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 \| [email protected]