ชัยวัฒน์ ยุวบูรณ์. 2534. การซินเตอร์ของสารเพียโซอิเลกตริกเซรามิกส์ที่อุณหภูมิระหว่าง 800-1250องศาเซลเซียส. คณะวิทยาศาสตร์, มหาวิทยาลัยเชียงใหม่;
ชัยวัฒน์ ยุวบูรณ์. (2534) การซินเตอร์ของสารเพียโซอิเลกตริกเซรามิกส์ที่อุณหภูมิระหว่าง 800-1250องศาเซลเซียส . มหาวิทยาลัยเชียงใหม่/เชียงใหม่.
ชัยวัฒน์ ยุวบูรณ์. การซินเตอร์ของสารเพียโซอิเลกตริกเซรามิกส์ที่อุณหภูมิระหว่าง 800-1250องศาเซลเซียส. . เชียงใหม่:มหาวิทยาลัยเชียงใหม่, 2534.
ชัยวัฒน์ ยุวบูรณ์. (2534) การซินเตอร์ของสารเพียโซอิเลกตริกเซรามิกส์ที่อุณหภูมิระหว่าง 800-1250องศาเซลเซียส . มหาวิทยาลัยเชียงใหม่/เชียงใหม่.