การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์
การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์
ชื่อเรื่อง :
การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์
ปี :
2532
หมวด :
วิทยานิพนธ์
ผู้แต่ง :
ธนากร โอสถจันทร์
ผู้แต่งร่วม :
-
รหัสดีโอไอ :
10.14457/CU.the.1989.28

ธนากร โอสถจันทร์. 2532. การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์. กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.1989.28

ธนากร โอสถจันทร์. (2532) การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์ (รายงานผลงานวิจัย). จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.1989.28

ธนากร โอสถจันทร์. การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์. กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2532. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.1989.28

ธนากร โอสถจันทร์. (2532) การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์ (รายงานผลงานวิจัย). จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.1989.28

เอกสารดาวน์โหลด
Abstract :
Download (PDF)
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0
การศึกษาลักษณะสมบัติของสัมประสิทธิความต้านทานไฟฟ้าตามอุณหภูมิทางบวกในแบบเรียนสตรอนเซียมติตาเนตที่จุดคูรีระหว่าง 50-150ซ
กมล พลคำ
การศึกษาลักษณะเฉพาะทางไฟฟ้าของเหล็กออกไซด์เกี่ยวกับค่าสัมประสิทธิ์ที่ไม่เป็นเชิงเส้น
สมจิตต์ รอดไฝ
การศึกษาคุณสมบัติการตอบสนองต่อก๊าซของทินออกไซด์
อดิศักดิ์ ศรีจูม

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)

National Research Council of Thailand (NRCT)

196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900

196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900

โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712  | dric@nrct.go.th

Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 | dric@nrct.go.th

 

©2013 National Research Council of Thailand
ipv6 ready