การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์
การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์
ชื่อเรื่อง :
การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์
ปี :
2532
หมวด :
วิทยานิพนธ์
ผู้แต่ง :
ธนากร โอสถจันทร์
ผู้แต่งร่วม :
-
รหัสดีโอไอ :
10.14457/CU.the.1989.28

ธนากร โอสถจันทร์. 2532. การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์. กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.1989.28

ธนากร โอสถจันทร์. (2532) การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์ (รายงานผลงานวิจัย). จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.1989.28

ธนากร โอสถจันทร์. การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์. กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2532. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.1989.28

ธนากร โอสถจันทร์. (2532) การปลูกผลึกและการศึกษาคุณสมบัติบ่งชี้ของสารกึ่งตัวนำซิงค์ซีลีไนด์ (รายงานผลงานวิจัย). จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ. DOI : https://doi.nrct.go.th/ListDoi/listDetail?Resolve_DOI=10.14457/CU.the.1989.28

เอกสารดาวน์โหลด
Abstract :
Download (PDF)
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0
การเตรียมและการศึกษาสมบัติของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนต์ (CuInSe 2)
ฐิตินัย แก้วแดง
สภาพนำไฟฟ้าของซิลิคอนอสัณฐาน
มนตรี แย้มวงษ์
การเติมสเตียรินที่เหมาะสมในการตกผลึกน้ำมันปาล์ม
ชาคริต ทองอุไร

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)

National Research Council of Thailand (NRCT)

196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900

196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900

โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712  | dric@nrct.go.th

Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 | dric@nrct.go.th

 

©2013 National Research Council of Thailand
ipv6 ready