ศูนย์ข้อมูลการวิจัย Digital "วช."

ชั้นเอ็น-บัฟเฟอร์กับคุณสมบัติทางไฟฟ้าของไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ที่มีเกทเป็นฉนวน

ชื่อเรื่อง :

ปี :

2540

หมวด :

รายงานการวิจัย

ผู้แต่ง :

สมเกียรติ ศุภเดช

ผู้แต่งร่วม :

สุรศักดิ์ เนียมเจริญ, เกียรติชัย มากเกษม

สมเกียรติ ศุภเดช. 2540. ชั้นเอ็น-บัฟเฟอร์กับคุณสมบัติทางไฟฟ้าของไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ที่มีเกทเป็นฉนวน. กรุงเทพฯ:สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง;

สมเกียรติ ศุภเดช. (2540) ชั้นเอ็น-บัฟเฟอร์กับคุณสมบัติทางไฟฟ้าของไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ที่มีเกทเป็นฉนวน. สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง:กรุงเทพฯ.

สมเกียรติ ศุภเดช. ชั้นเอ็น-บัฟเฟอร์กับคุณสมบัติทางไฟฟ้าของไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ที่มีเกทเป็นฉนวน. กรุงเทพฯ:สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง, 2540. Print.

เอกสารดาวน์โหลด

- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -

จำนวนดาวน์โหลด

Abstract :

Full-Text :

Digital File :

จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์

นโยบาย :

วิชาการ :

สังคม/ชุมชน :

พาณิชย์/อุตสาหกรรม :

การศึกษาคุณลักษณะของสัมประสิทธิ์ความต้านทานไฟฟ้าตามอุณหภูมิทางบวก ในแบเรียมติตาเนตเซรามิกส์ที่จุดคูรี ระหว่างอุณหภูมิ 30 ถึง 200 องศาเซลเซียส

นพพร เหรียญทอง

การศึกษาโครงสร้างของผลึกสารกึ่งตัวนำแบบชาลโคไพไรท์ของ AgGaTe2, AgInSe2, AgInTe2 และ CuInTe2 โดยการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์

สุ่น จ่างประยูร

การวิจัยและพัฒนาเซลล์แสงอาทิตย์ แบบเฮทเทอร์โรจังค์ชั่น ของสารกึ่งตัวนำ CuInSe2

งามนิตย์ วงษ์เจริญ

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)	National Research Council of Thailand (NRCT)
196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900	196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900
โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712 \| [email protected]	Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 \| [email protected]