ศูนย์ข้อมูลการวิจัย Digital "วช."

ชั้นเอ็น-บัฟเฟอร์กับคุณสมบัติทางไฟฟ้าของไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ที่มีเกทเป็นฉนวน

ชื่อเรื่อง :

ปี :

2540

หมวด :

รายงานการวิจัย

ผู้แต่ง :

สมเกียรติ ศุภเดช

ผู้แต่งร่วม :

สุรศักดิ์ เนียมเจริญ, เกียรติชัย มากเกษม

สมเกียรติ ศุภเดช. 2540. ชั้นเอ็น-บัฟเฟอร์กับคุณสมบัติทางไฟฟ้าของไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ที่มีเกทเป็นฉนวน. กรุงเทพฯ:สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง;

สมเกียรติ ศุภเดช. (2540) ชั้นเอ็น-บัฟเฟอร์กับคุณสมบัติทางไฟฟ้าของไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ที่มีเกทเป็นฉนวน. สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง:กรุงเทพฯ.

สมเกียรติ ศุภเดช. ชั้นเอ็น-บัฟเฟอร์กับคุณสมบัติทางไฟฟ้าของไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ที่มีเกทเป็นฉนวน. กรุงเทพฯ:สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง, 2540. Print.

เอกสารดาวน์โหลด

- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -

จำนวนดาวน์โหลด

Abstract :

Full-Text :

Digital File :

จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์

นโยบาย :

วิชาการ :

สังคม/ชุมชน :

พาณิชย์/อุตสาหกรรม :

การวิจัยและพัฒนาเซลล์แสงอาทิตย์ แบบเฮทเทอร์โรจังค์ชั่น ของสารกึ่งตัวนำ CuInSe2

งามนิตย์ วงษ์เจริญ

การศึกษา ออกแบบและสร้างไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ที่มีเกทเป็นฉนวน

พอพล รุจนพิชญ์

การปลูกผลึกและโฟโตรีเฟลกแทนซ์ของคอปเปอร์อินเดียมไดซีลีไนด์

คำเผย ชัยวงส์

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)	National Research Council of Thailand (NRCT)
196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900	196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900
โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712 \| dric@nrct.go.th	Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 \| dric@nrct.go.th