ศูนย์ข้อมูลการวิจัย Digital "วช."

การสร้างไดโอดเลเซอร์จากวัสดุ GaAs-GaAlAs แบบ buried heterostructure ด้วยวิธี liquid-phase epitaxy (LPE)

ชื่อเรื่อง :

การสร้างไดโอดเลเซอร์จากวัสดุ GaAs-GaAlAs แบบ buried heterostructure ด้วยวิธี liquid-phase epitaxy (LPE)

ปี :

2540

หมวด :

รายงานการวิจัย

ผู้แต่ง :

สมชัย รัตนธรรมพันธ์

ผู้แต่งร่วม :

ชุมพล อันตรเสน, Somchai Ratanathammaphan

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. 2540. การสร้างไดโอดเลเซอร์จากวัสดุ GaAs-GaAlAs แบบ buried heterostructure ด้วยวิธี liquid-phase epitaxy (LPE). กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย;

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. (2540) การสร้างไดโอดเลเซอร์จากวัสดุ GaAs-GaAlAs แบบ buried heterostructure ด้วยวิธี liquid-phase epitaxy (LPE). จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย:กรุงเทพฯ.

สมชัย รัตนธรรมพันธ์,ชุมพล อันตรเสน. การสร้างไดโอดเลเซอร์จากวัสดุ GaAs-GaAlAs แบบ buried heterostructure ด้วยวิธี liquid-phase epitaxy (LPE). กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2540. Print.

เอกสารดาวน์โหลด

- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -

จำนวนดาวน์โหลด

Abstract :

Full-Text :

Digital File :

จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์

นโยบาย :

วิชาการ :

สังคม/ชุมชน :

พาณิชย์/อุตสาหกรรม :

ไนโตรเจนเลเซอร์

บัณฑิต ณ ลำพูน

เลเซอร์ไมโครแมชชิ่นนิ่ง

อัศวิน เรณูสวัสดิ์

การศึกษาการเกิดมุมนอนลิเนียร์บริวสเตอร์ที่มุมตกกระทบตั้งฉากและมุมตกกระทบวิกฤตของแสงเลเซอร์ที่ผลึกแอมโมเนียมไดไฮโดรเจน

วุฑฒิ พันธุมนาวิน

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)	National Research Council of Thailand (NRCT)
196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900	196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900
โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712 \| dric@nrct.go.th	Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 \| dric@nrct.go.th