Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors
Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors
ชื่อเรื่อง :
Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors
ปี :
1996
หมวด :
วิทยานิพนธ์
ผู้แต่ง :
Varagorn Piputnchonlathee
ผู้แต่งร่วม :
-

Varagorn Piputnchonlathee. 1996. Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors. Graduate School, Chulalongkorn University;

Varagorn Piputnchonlathee. (1996) Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors . Chulalongkorn University/Bangkok.

Varagorn Piputnchonlathee. Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors. . Bangkok:Chulalongkorn University, 1996.

Varagorn Piputnchonlathee. (1996) Improvement of the path-integral approach to heavily doped semiconductors . Chulalongkorn University/Bangkok.

เอกสารดาวน์โหลด
Abstract :
Download (PDF)
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0
Semiconductor device research laboratory (SDRL)
Electrical Engineering Department Faculty of Engineering Chulalongkorn University
Development of artificial neural networks for semiconductor gas sensors based on nanostructured SnO2
Yootana Pimtong-ngam
การวิเคราะห์วงจรความต้านทานแบบต่อกราวด์ปรับค่าได้ด้วยแรงดันโดยใช้ซีมอส
มนตรี สมดุลยกนก

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)

National Research Council of Thailand (NRCT)

196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900

196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900

โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712  | dric@nrct.go.th

Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 | dric@nrct.go.th

 

©2013 National Research Council of Thailand
ipv6 ready