ศูนย์ข้อมูลการวิจัย Digital "วช."

การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล

ชื่อเรื่อง :

ปี :

2545

หมวด :

วิทยานิพนธ์

ผู้แต่ง :

ไมตรี ไพศาลภาณุมาศ

ผู้แต่งร่วม :

ไมตรี ไพศาลภาณุมาศ. 2545. การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล. สาขาวิชาวิศวกรรมไฟฟ้า, จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย;

ไมตรี ไพศาลภาณุมาศ. (2545) การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล . จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย/กรุงเทพฯ.

ไมตรี ไพศาลภาณุมาศ. การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล. . กรุงเทพฯ:จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545.

เอกสารดาวน์โหลด

Abstract :

Download (PDF)

จำนวนดาวน์โหลด

Abstract :

Full-Text :

Digital File :

จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์

นโยบาย :

วิชาการ :

สังคม/ชุมชน :

พาณิชย์/อุตสาหกรรม :

การศึกษาสมบัติทางไฟฟ้าของแผ่นฟิล์มบางอินเดียมซิลิเนียม

ชลิต วณิชยานันต์

ระบบปลูกผลึกแบบโชคราลสกี

เสน่ห์ เอกะวิภาต

การพัฒนาหัววัดรังสีสารกึ่งตัวนำแกลเลี่ยมอาร์เซไนด์

ชุมพล อันตรเสน

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)	National Research Council of Thailand (NRCT)
196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900	196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900
โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712 \| dric@nrct.go.th	Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 \| dric@nrct.go.th