Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy
Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy
ชื่อเรื่อง :
Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy
ปี :
2005
หมวด :
วิทยานิพนธ์
ผู้แต่ง :
Siripen Suandon
ผู้แต่งร่วม :
-

Siripen Suandon. 2005. Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy. Field of Study Physics, Chulalongkorn University;

Siripen Suandon. (2005) Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy . Chulalongkorn University/Bangkok.

Siripen Suandon. Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy. . Bangkok:Chulalongkorn University, 2005.

Siripen Suandon. (2005) Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy . Chulalongkorn University/Bangkok.

เอกสารดาวน์โหลด
- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0
Study on growth and in-situ processing of InAs self-organized quantum dots for long wavelength applications
Rudeesun Songmuang
Studies on the interaction between dengue virus and its cognate receptor
Sumalee Jindadamrongwech
Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy
Siripen Suandon

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)

National Research Council of Thailand (NRCT)

196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900

196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900

โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712  | dric@nrct.go.th

Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 | dric@nrct.go.th

 

©2013 National Research Council of Thailand
ipv6 ready