ศูนย์ข้อมูลการวิจัย Digital "วช."

Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy

ชื่อเรื่อง :

Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy

ปี :

2005

หมวด :

วิทยานิพนธ์

ผู้แต่ง :

Siripen Suandon

ผู้แต่งร่วม :

Siripen Suandon. 2005. Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy. Field of Study Physics, Chulalongkorn University;

Siripen Suandon. (2005) Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy . Chulalongkorn University/Bangkok.

Siripen Suandon. Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy. . Bangkok:Chulalongkorn University, 2005.

Siripen Suandon. (2005) Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy . Chulalongkorn University/Bangkok.

เอกสารดาวน์โหลด

- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -

จำนวนดาวน์โหลด

Abstract :

Full-Text :

Digital File :

จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์

นโยบาย :

วิชาการ :

สังคม/ชุมชน :

พาณิชย์/อุตสาหกรรม :

Studies on the interaction between dengue virus and its cognate receptor

Sumalee Jindadamrongwech

InGaAs nanostructures grown by droplet molecular beam epitaxy

Naraporn Pankaow

Microstructure and properties relationship of semi-solid cast metals

Natthaphol Chomsaeng

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)	National Research Council of Thailand (NRCT)
196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900	196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900
โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712 \| dric@nrct.go.th	Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 \| dric@nrct.go.th