InGaAs nanostructures grown by droplet molecular beam epitaxy
InGaAs nanostructures grown by droplet molecular beam epitaxy
ชื่อเรื่อง :
InGaAs nanostructures grown by droplet molecular beam epitaxy
ปี :
2006
หมวด :
วิทยานิพนธ์
ผู้แต่ง :
Naraporn Pankaow
ผู้แต่งร่วม :
-

Naraporn Pankaow. 2006. InGaAs nanostructures grown by droplet molecular beam epitaxy. Field of Study Electrical Engineering, Chulalongkorn University;

Naraporn Pankaow. (2006) InGaAs nanostructures grown by droplet molecular beam epitaxy . Chulalongkorn University/Bangkok.

Naraporn Pankaow. InGaAs nanostructures grown by droplet molecular beam epitaxy. . Bangkok:Chulalongkorn University, 2006.

Naraporn Pankaow. (2006) InGaAs nanostructures grown by droplet molecular beam epitaxy . Chulalongkorn University/Bangkok.

เอกสารดาวน์โหลด
- ไม่พบเอกสารดิจิตอล -
จำนวนดาวน์โหลด
Abstract :
 0
Full-Text :
 0
Digital File :
 0
จำนวนดาวน์โหลดเพื่อใช้ประโยชน์
นโยบาย :
 0
วิชาการ :
 0
สังคม/ชุมชน :
 0
พาณิชย์/อุตสาหกรรม :
 0
Study on growth and in-situ processing of InAs self-organized quantum dots for long wavelength applications
Rudeesun Songmuang
Structural property analysis of GaN grown on GaAs by MOVPE using transmission electron microscopy
Siripen Suandon
InGaAs nanostructures grown by droplet molecular beam epitaxy
Naraporn Pankaow

สำนักงานการวิจัยแห่งชาติ (วช.)

National Research Council of Thailand (NRCT)

196 ถนนพหลโยธิน เขตจตุจักร กรุงเทพฯ 10900

196 Paholyotin rd., Chatuchak, Bangkok 10900

โทร. 02-561-2445 ต่อ 711, 712  | dric@nrct.go.th

Tel.02-561-2445 ext. 712, 714 | dric@nrct.go.th

 

©2013 National Research Council of Thailand
ipv6 ready